Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363(UMT6)
Артикул: C79622
Part Number: UMB10NTN
Производитель: ROHM
от 0.026200 ₽
В наличии: 1840 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.067200 ₽ |
| 100 шт. | 0.049600 ₽ |
| 300 шт. | 0.040700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.034100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.028800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.026200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-363(UMT6)