TrenchStop 2nd поколение серия IGBT с анти-параллельный С управлением эмиттером диод

TrenchStop 2nd поколение серия IGBT с анти-параллельный С управлением эмиттером диод

Артикул: C79568 Part Number: IKW15N120T2 Производитель: Infineon
от 2.458300 ₽ В наличии: 49 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.943000 ₽
10 шт. 3.371100 ₽
30 шт. 3.031800 ₽
90 шт. 2.689300 ₽
480 шт. 2.530400 ₽
960 шт. 2.458300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 235W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 30A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.2V@15A,15V
Заряд затвора (Qg) 93nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.2V@0.6mA
Входная ёмкость (Cies) 1nF
Выходная ёмкость (Coes) 100pF
Проходная ёмкость (Cres) 56pF
Время задержки включения Td(on) 32ns
Время задержки выключения Td(off) 362ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.25mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 800uJ
Время обратного восстановления (trr) 300ns

Описание

235W 30A 1.2kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS