Модули IGBT, 1200V, 200A
Артикул: C781190
Part Number: MG200HF12MIC2
Производитель: YANGJIE
от 61.689800 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 66.241100 ₽ |
| 10 шт. | 61.689800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.36kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@200A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 420nC@600V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@4mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 12.6nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 620pF |
| Время задержки включения Td(on) | 135ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 282ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 8.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 12.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 175ns |
Описание
1.36kW 200A 1.2kV винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы RoHS