Модули IGBT, 1200V, 150A
Артикул: C781188
Part Number: MG150HF12MRC2
Производитель: YANGJIE
от 48.900300 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 53.197700 ₽ |
| 10 шт. | 48.900300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 880W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 210A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V@150A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 700nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@6mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 8.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 480pF |
| Время задержки включения Td(on) | 150ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 420ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 22mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 350ns |
Описание
880W 210A 1.2kV винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы RoHS