YANGJIE MG100P12E2
Артикул: C781182
Part Number: MG100P12E2
Производитель: YANGJIE
от 170.825700 ₽
В наличии: 6 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 173.959700 ₽ |
| 30 шт. | 170.825700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 625W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.25V@100A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 540nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@4mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 600pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 400pF |
| Время задержки включения Td(on) | 240ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 395ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 7.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 85ns |
Описание
625W 100A 1.2kV E2 одиночные IGBT-транзисторы