Модули IGBT, 1200V, 100A, траншейный+ограничение поля technology

Модули IGBT, 1200V, 100A, траншейный+ограничение поля technology

Артикул: C781180 Part Number: MG100HF12MIC1 Производитель: YANGJIE
от 36.066700 ₽ В наличии: 1 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 38.810100 ₽
10 шт. 36.066700 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 680W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 150A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.9V@100A,15V
Заряд затвора (Qg) 200nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5V@4mA
Входная ёмкость (Cies) 8.3nF
Выходная ёмкость (Coes) 290pF
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 118ns
Время задержки выключения Td(off) 208ns
Энергия потерь при включении (Eon) 2.93mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 5.62mJ
Время обратного восстановления (trr) 110ns

Описание

680W 150A 1.2kV FS (ограничение поля) винтовые клеммы одиночные IGBT-транзисторы RoHS