DIODES DMN2013UFDE-7
Артикул: C780827
Part Number: DMN2013UFDE-7
Производитель: DIODES
от 0.178500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.187900 ₽ |
| 10 шт. | 0.183900 ₽ |
| 30 шт. | 0.181200 ₽ |
| 100 шт. | 0.178500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 660mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.453nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 257pF |
Описание
20V 10.5A 1.1V 660mW 11mΩ@4.5V 1 N-канальный DFN2020-6E одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS