NPN кремний эпитаксиальный планарный транзистор

NPN кремний эпитаксиальный планарный транзистор

Артикул: C7603317 Part Number: TPCZT5551 Производитель: TECH PUBLIC
от 0.035100 ₽ В наличии: 305 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.072200 ₽
50 шт. 0.056200 ₽
150 шт. 0.048300 ₽
1000 шт. 0.042300 ₽
2000 шт. 0.037500 ₽
5000 шт. 0.035100 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN
Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 160V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Ток коллектора (Ic) 600mA
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 300
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 200mV
Ток отсечки коллектора 50nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 6V
Конфигурация Standalone
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 300MHz

Описание

160V 300 600mA 1 NPN NPN SOT-223 одиночные биполярные транзисторы