NPN кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзисторы
Артикул: C7589104
Part Number: MMBTRC106SS
Производитель: ST(Semtech)
от 0.011800 ₽
В наличии: 80 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.024700 ₽ |
| 200 шт. | 0.019000 ₽ |
| 600 шт. | 0.015900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.014300 ₽ |
| 9000 шт. | 0.012700 ₽ |
| 21000 шт. | 0.011800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 10 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
Описание
50V 80 100mA 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS