P-канальный обогащение режим мощность MOSFET

P-канальный обогащение режим мощность MOSFET

Артикул: C7587889 Part Number: IXTA10P50P Производитель: Littelfuse/IXYS
от 5.993200 ₽ В наличии: 31 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 8.118700 ₽
10 шт. 7.115700 ₽
50 шт. 6.506100 ₽
100 шт. 5.993200 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 500V
Непрерывный ток стока (Id) 10A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 300W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.5V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 1Ω@10V
Заряд затвора (Qg) 50nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 2.84nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 42pF
Выходная ёмкость (Coss) 275pF

Описание

500V 10A 4.5V 300W 1Ω@10V 1 P-канальный P-канальный TO-263AA одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS