P-канальный обогащение Mosfet
Артикул: C7570362
Part Number: TM50P04D
Производитель: Tritech-MOS
от 0.147100 ₽
В наличии: 2495 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.340200 ₽ |
| 50 шт. | 0.257800 ₽ |
| 150 шт. | 0.222500 ₽ |
| 500 шт. | 0.178500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.158800 ₽ |
| 5000 шт. | 0.147100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 44V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52.1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 27.9nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.5nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 222pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 323pF |
Описание
44V 50A 1.6V 52.1W 10mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS