PNP эпитаксиальный кремний транзистор

PNP эпитаксиальный кремний транзистор

Артикул: C7509601 Part Number: BD238G Производитель: UTC
от 0.088000 ₽ В наличии: 55 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.158200 ₽
50 шт. 0.128000 ₽
150 шт. 0.112900 ₽
500 шт. 0.101600 ₽
2000 шт. 0.092500 ₽
5000 шт. 0.088000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Количество 1 PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 80V
Ток коллектора (Ic) 2A
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.25W
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 40
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 600mV
Ток отсечки коллектора 100uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Конфигурация Standalone
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 3MHz

Описание

80V 40 2A PNP 1 PNP TO-126 одиночные биполярные транзисторы RoHS