650V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C7499442
Part Number: YFW2N65AF
Производитель: YFW
от 0.147700 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.289500 ₽ |
| 50 шт. | 0.231100 ₽ |
| 150 шт. | 0.204500 ₽ |
| 500 шт. | 0.171400 ₽ |
| 2000 шт. | 0.156600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.147700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2A |
| Рабочая температура | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 25W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 415pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 32pF |
Описание
650V 2A 4V 25W 4Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS