Комплементарный мощность дарлингтона транзистор
Артикул: C7498976
Part Number: TIP122-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.124200 ₽
В наличии: 205 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.241500 ₽ |
| 50 шт. | 0.196300 ₽ |
| 150 шт. | 0.173300 ₽ |
| 500 шт. | 0.144600 ₽ |
| 2000 шт. | 0.131800 ₽ |
| 5000 шт. | 0.124200 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Ток коллектора (Ic) | 5A |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V@5A,20mA |
| Ток отсечки коллектора | 200uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.5V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 1000 5A NPN TO-220 одиночные биполярные транзисторы RoHS