Кремний PNP дарлингтона мощность транзисторы

Кремний PNP дарлингтона мощность транзисторы

Артикул: C7498975 Part Number: TIP127-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.119900 ₽ В наличии: 295 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.241500 ₽
50 шт. 0.189700 ₽
150 шт. 0.167400 ₽
500 шт. 0.139700 ₽
2000 шт. 0.127300 ₽
5000 шт. 0.119900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 2W
Ток коллектора (Ic) 5A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 4V@5A,20mA
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 5A PNP TO-220-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS