Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема
Артикул: C7498967
Part Number: NCP5111DR2G-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.361200 ₽
В наличии: 4080 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.691200 ₽ |
| 10 шт. | 0.555800 ₽ |
| 30 шт. | 0.488800 ₽ |
| 100 шт. | 0.421900 ₽ |
| 500 шт. | 0.383000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.361200 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | - |
| Время задержки низкого уровня | - |
| Время спада | 35ns |
| Время нарастания | 75ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 300mA |
| Напряжение питания | 10V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 600mA |
| Особенности | Enable shutdown;Dead-time control;Interleaved conduction protection |
| Ток покоя | 120uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8