Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C7498965 Part Number: UCC27710DR-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.470000 ₽ В наличии: 4044 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.899400 ₽
10 шт. 0.724400 ₽
30 шт. 0.636900 ₽
100 шт. 0.549400 ₽
500 шт. 0.497500 ₽
1000 шт. 0.470000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 35ns
Время нарастания 75ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 300mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Undervoltage Protection
Ток покоя 120uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8