650V 30mΩ GaN FET с встроенный драйвер, защита, и температура отчётность функции

650V 30mΩ GaN FET с встроенный драйвер, защита, и температура отчётность функции

Артикул: C7471770 Part Number: LMG3526R030RQSR Производитель: TI
от 25.555600 ₽ В наличии: 3 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 26.410000 ₽
10 шт. 25.555600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество каналов 1
Логика управляющего входа Active High
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 26mΩ
Максимальный непрерывный ток 38A
Рабочая температура -40℃~+125℃
Особенности Overcurrent Protection;Short-Circuit Protection;Over temperature protection;Under-voltage lockout

Описание

38A VQFN-52