700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

700V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C7466361 Part Number: TF2106M-TR Производитель: JSMSEMI
от 0.389300 ₽ В наличии: 4313 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.743500 ₽
10 шт. 0.598300 ₽
30 шт. 0.526500 ₽
100 шт. 0.454700 ₽
500 шт. 0.411700 ₽
1000 шт. 0.389300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления Low Side;High Side
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 35ns
Время нарастания 75ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 300mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 120uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Низкий боковой высокий боковой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOP-8