NPN кремний эпитаксиальный планарный транзисторы для импульсный,интерфейс цепь и drive цепь применения

NPN кремний эпитаксиальный планарный транзисторы для импульсный,интерфейс цепь и drive цепь применения

Артикул: C7464244 Part Number: MMBTRC118SS Производитель: ST(Semtech)
от 0.009300 ₽ В наличии: 2950 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
50 шт. 0.018800 ₽
500 шт. 0.014700 ₽
3000 шт. 0.012500 ₽
6000 шт. 0.011100 ₽
24000 шт. 0.009900 ₽
51000 шт. 0.009300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Тип NPN
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Коэффициент усиления по постоянному току 33
Рабочая температура -
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 2.5V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 300mV
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV
Входной резистор 2.2kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 200mW поверхностный монтаж SOT-23