NPN кремний эпитаксиальный планарный транзистор
Артикул: C7464207
Part Number: MMBTRC402E
Производитель: ST(Semtech)
от 0.008600 ₽
В наличии: 3950 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.018100 ₽ |
| 500 шт. | 0.014000 ₽ |
| 1500 шт. | 0.011600 ₽ |
| 4000 шт. | 0.010500 ₽ |
| 24000 шт. | 0.009300 ₽ |
| 48000 шт. | 0.008600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 100mA 100mW поверхностный монтаж SOT-523