PNP кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзистор для импульсный и интерфейс цепь и drive цепь применения
Артикул: C7464202
Part Number: MMBTRA102SS
Производитель: ST(Semtech)
от 0.014000 ₽
В наличии: 3000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.024300 ₽ |
| 500 шт. | 0.019900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.017400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.015900 ₽ |
| 24000 шт. | 0.014700 ₽ |
| 51000 шт. | 0.014000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V@5mA,200mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,500uA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 200mW поверхностный монтаж SOT-23