PNP кремний эпитаксиальный планарный транзистор для сильноточный импульсный,интерфейс цепь и драйвер цепь применение

PNP кремний эпитаксиальный планарный транзистор для сильноточный импульсный,интерфейс цепь и драйвер цепь применение

Артикул: C7464135 Part Number: MMBTRA226SS Производитель: ST(Semtech)
от 0.015800 ₽ В наличии: 1900 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
50 шт. 0.025000 ₽
500 шт. 0.021100 ₽
3000 шт. 0.018900 ₽
6000 шт. 0.017600 ₽
24000 шт. 0.016400 ₽
51000 шт. 0.015800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 PNP Pre-Biased
Тип PNP
Ток коллектора (Ic) 300mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO -
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Коэффициент усиления по постоянному току 56
Рабочая температура -
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 2V@20mA,300mV
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 300mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 600mV
Входной резистор 2.2kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 200MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

56 300mA 200mW 1 PNP со встроенными резисторами смещения PNP SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS