MICROCHIP APT25GP120BDQ1G
Артикул: C7455391
Part Number: APT25GP120BDQ1G
Производитель: MICROCHIP
от 29.398600 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 30.067200 ₽ |
| 10 шт. | 29.398600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | PT (Punch-Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 417W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 33A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.3V;3V |
| Заряд затвора (Qg) | 110nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.09nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 200pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 40pF |
| Время задержки включения Td(on) | 12ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 70ns;110ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 500uJ;1.09mJ;1.575mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 440uJ;1.185mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 21ns;240ns;290ns;130ns |
Описание
417W 33A 1.2kV PT (пробойник-Through) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS