MICROCHIP APT50GN60BDQ2G
Артикул: C7452496
Part Number: APT50GN60BDQ2G
Производитель: MICROCHIP
от 19.221000 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 19.656400 ₽ |
| 10 шт. | 19.221000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 366W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 107A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.45V |
| Заряд затвора (Qg) | 325nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 125pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 100pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 230ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.185mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.565mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 25ns |
Описание
366W 107A 600V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS