N-канальный обогащение режим мощность MOSFET
Артикул: C7436875
Part Number: JMTJ3400A
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics
от 0.021600 ₽
В наличии: 620 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.042100 ₽ |
| 100 шт. | 0.033300 ₽ |
| 300 шт. | 0.028900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.025600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.022900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.021600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.3W |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 950mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 20.5mΩ@10V;22mΩ@4.5V;27.1mΩ@2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 785pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 54pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 65pF |
Описание
30V 5.8A 950mV 1 N-канальный N-канальный SOT-23-3L одиночные биполярные транзисторы RoHS