N обогащение режим мощность MOSFET

N обогащение режим мощность MOSFET

Артикул: C7436867 Part Number: JMTQ240N03A Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics
от 0.050200 ₽ В наличии: 40 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.097900 ₽
50 шт. 0.077400 ₽
150 шт. 0.067100 ₽
500 шт. 0.059400 ₽
2500 шт. 0.053300 ₽
5000 шт. 0.050200 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Напряжение сток–исток 30V
Рассеиваемая мощность (Pd) 4.8W
Непрерывный ток стока (Id) 12A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1.5V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 15mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 5.2nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 490pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 61pF
Выходная ёмкость (Coss) 79pF

Описание

30V 12A 1.5V 15mΩ@10V 1 N-канальный PDFN3.3x3.3-8L одиночные биполярные транзисторы RoHS