500V N-канальный обогащение режим MOSFET

500V N-канальный обогащение режим MOSFET

Артикул: C7436487 Part Number: YFW18N50AF Производитель: YFW
от 0.469000 ₽ В наличии: 40 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.869000 ₽
10 шт. 0.700100 ₽
50 шт. 0.628000 ₽
100 шт. 0.544400 ₽
500 шт. 0.493600 ₽
1000 шт. 0.469000 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 500V
Конфигурация -
Непрерывный ток стока (Id) 18A
Рабочая температура -
Рассеиваемая мощность (Pd) 60W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 280mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 71nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 2.25nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 7.2pF
Выходная ёмкость (Coss) 360pF

Описание

500V 18A 4V 60W 280mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS