150V, 7mOhm галлий нитрид (GaN) FET in a контактная площадка сетка сборка (LGA) корпус
Артикул: C7433264
Part Number: GAN7R0-150LBEZ
Производитель: Nexperia
от 4.652300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.078500 ₽ |
| 10 шт. | 5.529500 ₽ |
| 30 шт. | 5.202900 ₽ |
| 100 шт. | 4.873200 ₽ |
| 500 шт. | 4.721800 ₽ |
| 1000 шт. | 4.652300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 150V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 28A |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 28W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.6mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 7.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 865pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 280pF |
Описание
150V 28A 1.1V 28W 5.6mΩ 1 N-канальный N-канальный FCLGA3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS