700V 4A полумостовой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

700V 4A полумостовой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C7432832 Part Number: ID7S625SBC-R1-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.448900 ₽ В наличии: 1379 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.860400 ₽
10 шт. 0.695200 ₽
30 шт. 0.612500 ₽
100 шт. 0.529900 ₽
500 шт. 0.473200 ₽
1000 шт. 0.448900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 17ns
Время нарастания 25ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 4A
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 4A
Особенности Enable shutdown
Ток покоя 120uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOIC-16-300mil