250V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер chip

250V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер chip

Артикул: C7432829 Part Number: IRS2007STRPBF-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.170100 ₽ В наличии: 3995 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.334100 ₽
50 шт. 0.264100 ₽
150 шт. 0.234100 ₽
500 шт. 0.196700 ₽
2500 шт. 0.180100 ₽
4000 шт. 0.170100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 30ns
Время нарастания 70ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 290mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 300uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8