250V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер chip

250V однофазный высокий и низкий боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер chip

Артикул: C7432828 Part Number: TF2007M-TR-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.233400 ₽ В наличии: 41 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.458900 ₽
10 шт. 0.363600 ₽
30 шт. 0.322400 ₽
100 шт. 0.270000 ₽
500 шт. 0.247700 ₽
1000 шт. 0.233400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 30ns
Время нарастания 70ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 290mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 300uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8