250V 1.2A однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

250V 1.2A однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C7432827 Part Number: LM5109BMAX-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.277400 ₽ В наличии: 103 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.564600 ₽
10 шт. 0.434100 ₽
30 шт. 0.378600 ₽
100 шт. 0.308500 ₽
500 шт. 0.297000 ₽
1000 шт. 0.277400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 40ns
Время нарастания 50ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 1.2A
Напряжение питания 9V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 1.5A
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 160uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8