P-канальный обогащение режим мощность MOSFET-транзисторы
Артикул: C7430189
Part Number: IXTH10P60
Производитель: Littelfuse/IXYS
от 15.959500 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 16.430300 ₽ |
| 10 шт. | 15.959500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 135nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.665nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 137pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 437pF |
Описание
600V 10A 5V 300W 1Ω@10V 1 P-канальный P-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS