1200V,50A,траншейный FSII быстрый IGBT

1200V,50A,траншейный FSII быстрый IGBT

Артикул: C7429722 Part Number: NCE50TD120VT Производитель: NCE
от 2.375300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 4.293900 ₽
10 шт. 3.579100 ₽
30 шт. 3.130700 ₽
90 шт. 2.672600 ₽
510 шт. 2.466200 ₽
990 шт. 2.375300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 535W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 100A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.95V@50A,15V
Заряд затвора (Qg) 370nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.5V@1mA
Входная ёмкость (Cies) 6.98nF
Выходная ёмкость (Coes) 220pF
Проходная ёмкость (Cres) 167pF
Время задержки включения Td(on) 19ns
Время задержки выключения Td(off) 170ns
Энергия потерь при включении (Eon) 2.6mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.7mJ
Время обратного восстановления (trr) 150ns

Описание

535W 100A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы