Транзистор предварительное смещение PNP 50V SOT-563
Артикул: C7426882
Part Number: DDA123JH-7
Производитель: DIODES
от 0.147300 ₽
В наличии: 80 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.152300 ₽ |
| 50 шт. | 0.150100 ₽ |
| 150 шт. | 0.148700 ₽ |
| 500 шт. | 0.147300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.9V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-563