Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-23-3
Артикул: C7425478
Part Number: BCR108E6327HTSA1
Производитель: Infineon
от 0.202400 ₽
В наличии: 5425 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.423500 ₽ |
| 50 шт. | 0.329200 ₽ |
| 150 шт. | 0.288800 ₽ |
| 500 шт. | 0.238300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.215900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.202400 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 500mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.9kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.052 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 170MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23-3