Высоковольтный, высокий усиление биполярный Mos транзистор
Артикул: C7424793
Part Number: IXBF32N300
Производитель: Littelfuse/IXYS
от 50.296400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 52.710600 ₽ |
| 25 шт. | 50.296400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 160W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 3kV |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.2V@32A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 142nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.14nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 124pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 40pF |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 160ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.5us |
Описание
160W 40A 3kV ISOPLUSi4-PAK одиночные IGBT-транзисторы RoHS