Field эффект транзистор кремний N канал MOS тип (U-MOS III) нагрузка импульсный применения
Артикул: C7421329
Part Number: SSM3K15AMFV,L3NF
Производитель: TOSHIBA
от 0.066600 ₽
В наличии: 7670 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.081000 ₽ |
| 100 шт. | 0.074800 ₽ |
| 300 шт. | 0.071700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.069400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.067600 ₽ |
| 8000 шт. | 0.066600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.3Ω@4V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 13.5pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 8pF |
Описание
30V 100mA 1.5V 150mW 2.3Ω@4V 1 N-канальный N-канальный SOT-723 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)