Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363
Артикул: C7421326
Part Number: RN4903,LF(CT
Производитель: TOSHIBA
от 0.046800 ₽
В наличии: 2510 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.095100 ₽ |
| 50 шт. | 0.074300 ₽ |
| 150 шт. | 0.064000 ₽ |
| 500 шт. | 0.056200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.049900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.046800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,200mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения транзистор, 1 NPN 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363