Транзистор кремний PNP · NPN эпитаксиальный тип (PCT процесс) (со встроенными резисторами смещения транзистор)

Транзистор кремний PNP · NPN эпитаксиальный тип (PCT процесс) (со встроенными резисторами смещения транзистор)

Артикул: C7421325 Part Number: RN4605(TE85L,F) Производитель: TOSHIBA
от 0.071700 ₽ В наличии: 2350 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.148600 ₽
50 шт. 0.115800 ₽
150 шт. 0.101700 ₽
500 шт. 0.084200 ₽
3000 шт. 0.076400 ₽
6000 шт. 0.071700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Тип NPN+PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 80
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 600mV@5mA,0.2V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 800mV@0.1mA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 2.86kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 0.051
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 200MHz;250MHz

Описание

50V 80 100mA 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения NPN+PNP SOT-26 одиночные биполярные транзисторы RoHS