Биполярный транзисторы кремний NPN эпитаксиальный тип (PCT процесс)(со встроенными резисторами смещения транзистор)
Артикул: C7421323
Part Number: RN1902,LF(CT
Производитель: TOSHIBA
от 0.063200 ₽
В наличии: 2700 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.127300 ₽ |
| 50 шт. | 0.099800 ₽ |
| 150 шт. | 0.086000 ₽ |
| 500 шт. | 0.075700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.067400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.063200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50 200mW 100mA 50V 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS