Транзистор кремний NPN эпитаксиальный тип (дарлингтона мощность)
Артикул: C7421251
Part Number: 2SD2686(TE12L,ZC)
Производитель: TOSHIBA
от 0.099400 ₽
В наличии: 800 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.208400 ₽ |
| 50 шт. | 0.162800 ₽ |
| 150 шт. | 0.143300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.116800 ₽ |
| 2000 шт. | 0.105900 ₽ |
| 5000 шт. | 0.099400 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 60V |
| Ток коллектора (Ic) | 1A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 2000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.2V;1.5V |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 8V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 2V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
60V 2000 1A NPN SC-62 одиночные биполярные транзисторы RoHS