Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C7421050 Part Number: G2021 Производитель: WXNSIC
от 0.079400 ₽ В наличии: 9734 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.146800 ₽
10 шт. 0.117800 ₽
30 шт. 0.103300 ₽
100 шт. 0.092400 ₽
500 шт. 0.083700 ₽
1000 шт. 0.079400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления High Side;Low Side
Время задержки высокого уровня 140ns
Время задержки низкого уровня 150ns
Время спада 40ns
Время нарастания 50ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 1.2A
Напряжение питания 6V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 1.5A
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Ток покоя 160uA
Входной логический уровень — низкий 800mV
Входной логический уровень — высокий 2.5V

Описание

Драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOIC-8