VISHAY SISS10DN-T1-GE3
Артикул: C7363891
Part Number: SISS10DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.380400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.003200 ₽ |
| 200 шт. | 0.400100 ₽ |
| 500 шт. | 0.388000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.380400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 31.7A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 4.8W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.65mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 75nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.75nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 72pF |
Описание
40V 31.7A 2.4V 4.8W 2.65mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS