VISHAY SISH114ADN-T1-GE3

VISHAY SISH114ADN-T1-GE3

Артикул: C7363883 Part Number: SISH114ADN-T1-GE3 Производитель: VISHAY
от 0.537900 ₽ В наличии: 1500 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.944600 ₽
10 шт. 0.779000 ₽
30 шт. 0.695300 ₽
100 шт. 0.613300 ₽
500 шт. 0.564100 ₽
1000 шт. 0.537900 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 18A;35A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 3.7W;39W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1.2V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 7.5mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 32nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 1.23nF

Описание

30V 1.2V 7.5mΩ@10V 1 N-канальный PowerPAK1212-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS