VISHAY SISH110DN-T1-GE3
Артикул: C7363880
Part Number: SISH110DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.566800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.492700 ₽ |
| 200 шт. | 0.595600 ₽ |
| 500 шт. | 0.575900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.566800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 21.1A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 21nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
Описание
20V 21.1A 2.5V 5.3mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS