VISHAY SIHH11N65E-T1-GE3
Артикул: C7363755
Part Number: SIHH11N65E-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 2.050400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.408500 ₽ |
| 200 шт. | 2.158000 ₽ |
| 500 шт. | 2.086800 ₽ |
| 1000 шт. | 2.050400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 130W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 363mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 68nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.257nF |
Описание
650V 8A 2V 130W 363mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS