VISHAY SIHG64N65E-GE3
Артикул: C7363753
Part Number: SIHG64N65E-GE3
Производитель: VISHAY
от 14.382200 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 14.823100 ₽ |
| 10 шт. | 14.382200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 64A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 520W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 47mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 369nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 7.497nF |
Описание
650V 64A 4V 520W 47mΩ@10V 1 N-канальный TO-247AC одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)