VISHAY SIHB20N50E-GE3
Артикул: C7363725
Part Number: SIHB20N50E-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.582500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.172900 ₽ |
| 200 шт. | 1.665100 ₽ |
| 500 шт. | 1.609500 ₽ |
| 1000 шт. | 1.582500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 19A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 179W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 184mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 92nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
Описание
500V 19A 4V 179W 184mΩ@10V 1 N-канальный D2PAK(TO-263) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS